دراسة تأثير زمن النقش على خصائص السيليكون المسامي الذي يتم تحضيره من السيليكون من النوع n بطريقة النقش الكهروكيميائي الضوئي
DOI:
https://doi.org/10.47831/mjse.v1i2.1115الكلمات المفتاحية:
Porous silicon, n-type, XRD, Photoelectrochemical, Etching time.الملخص
في هذا البحث تم دراسة وتحضير عينات من السليكون المسامي باستخدام سليكون من النوع (n-type) وباتجاهية (111) باستخدام طريقة التنميش الكهروكيميائي ضوئي بكثافة تيار(20 mA/cm2) وبزمن تنميش مختلف (5, 10, 15, and 20 min). اظهرت نتائج فحوصات الخصائص التركيبية للسليكون المسامي باستخدام فحص (XRD) زيادة عرض منتصف القمة للمنحني مع زيادة زمن التنميش وبالتالي يقل الحجم الحبيبي من ( 46.99mmالى 4.36 nm)، ومن فحص (SEM) اظهرت النتائج ان عمق المسام يزداد مع زيادة زمن التنميش، ومن فحص (AFM) تبين ان معدل الحجم الحبيبي يزداد من (63.55nm to 75.68nm) وكذلك خشونة السطح تزداد ايضاً من (2.2nm to 17.9nm) مع زيادة زمن التنميش، اما فحص مطياف اللمعان (PL) بين ان طيف السليكون المسامي يقع ضمن منطقة الضوء المرئي وبزيادة زمن التنميش فأن المنحني يزاح نحو الاطوال الموجية القصيرة وبالتالي تزداد فجوة الطاقة البصرية (1.99eV to 2.02eV).
